日本歐姆龍OMRON圖像傳感器技術(shù)參數(shù)
更新時(shí)間：2024-01-04 點(diǎn)擊次數(shù)：762次
日本歐姆龍OMRON圖像傳感器技術(shù)參數(shù)：
了解CCD和CMOS芯片的成像原理和主要參數(shù)對(duì)于產(chǎn)品的選型時(shí)非常重要的。同樣，相同的芯片經(jīng)過(guò)不同的設(shè)計(jì)制造出的相機(jī)性能也可能有所差別。
CCD和CMOS的主要參數(shù)有以下幾個(gè)：
1. 像元尺寸
像元尺寸指芯片像元陣列上每個(gè)像元的實(shí)際物理尺寸，通常的尺寸包括14um,10um, 9um , 7um , 6.45um ,3.75um 等。像元尺寸從某種程度上反映了芯片的對(duì)光的響應(yīng)能力，像元尺寸越小，能夠接收到的光子數(shù)量越多，在同樣的光照條件和曝光時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的電荷數(shù)量a越多。對(duì)于弱光成像而言，像元尺寸是芯片靈敏度的一種表征。
2. 靈敏度
靈敏度是芯片的重要參數(shù)之一，它具有兩種物理意義。一種指光器件的光電轉(zhuǎn)換能力，與響應(yīng)率的意義相同。即芯片的靈敏度指在一定光譜范圍內(nèi)，單位曝光量的輸出信號(hào)電壓（電流），單位可以為納安/勒克斯nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一種是指器件所能傳感的對(duì)地輻射功率（或照度），與探測(cè)率的意義相同，。單位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。
3. 壞點(diǎn)數(shù)
由于受到制造工藝的限制，對(duì)于有幾百萬(wàn)像素點(diǎn)的傳感器而言，所有的像元都是好的情況幾乎不太可能，壞點(diǎn)數(shù)是指芯片中壞點(diǎn)（不能有效成像的像元或相應(yīng)不一致性大于參數(shù)允許范圍的像元）的數(shù)量，壞點(diǎn)數(shù)是衡量芯片質(zhì)量的重要參數(shù)。
4. 光譜響應(yīng)
光譜響應(yīng)是指芯片對(duì)于不同光波長(zhǎng)光線的響應(yīng)能力，通常用光譜響應(yīng)曲線給出。
從產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)看，無(wú)論是CCD還是CMOS，其體積小型化及高像素化仍是業(yè)界積極研發(fā)的目標(biāo)。因?yàn)橄袼爻叽缧t圖像產(chǎn)品的分辨率越高、清晰度越好、體積越小，其應(yīng)用面更廣泛。
從上述二種圖像傳感器解析度來(lái)看，未來(lái)將有幾年時(shí)間，以130萬(wàn)像素至200萬(wàn)像素為界，之上的應(yīng)用領(lǐng)域中，將仍以CCD主流，之下的產(chǎn)品中，將開(kāi)始以CMOS傳感器為主流。業(yè)界分析2014年底至2015初，將有300萬(wàn)像素的CMOS上市，預(yù)測(cè)CMOS市場(chǎng)應(yīng)用超越CCD的時(shí)機(jī)一般在2004年-2005年。
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